N-Kanal 1200 V 97 A (Tc) 382W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
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N-Kanal 1200 V 97 A (Tc) 382W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R017M2HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMZC120R017M2HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMZC120R017M2HXKSA1
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 97A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
69 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 97 A (Tc) 382W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMZC120R017M2HXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
17mOhm bei 40A, 18V
Herst.
Vgs(th) (max.) bei Id
5,1V bei 12,7mA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
89 nC @ 18 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2910 pF @ 800 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
382W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-4-17
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Gehäuse / Hülle
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 17,08000€ 17,08
30€ 10,67700€ 320,31
120€ 9,27467€ 1.112,96
510€ 8,86455€ 4.520,92
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