N-Kanal 1200 V 97 A (Tc) 382W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1200 V 97 A (Tc) 382W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R017M2HXKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IMZC120R017M2HXKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IMZC120R017M2HXKSA1
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 97A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
69 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 97 A (Tc) 382W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-17
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IMZC120R017M2HXKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
17mOhm bei 40A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,1V bei 12,7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
89 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2910 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
382W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-4-17
Gehäuse / Hülle
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Auf Lager: 259
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 17,30000€ 17,30
30€ 10,81133€ 324,34
120€ 9,39142€ 1.126,97
510€ 8,97616€ 4.577,84
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:€ 17,30000
Stückpreis mit MwSt.:€ 20,76000