Name: GCMX008B120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX008B120B3H1P-ND
Price: 91.44 EUR
Availability: InStock

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GCMX008B120B3H1P
DigiKey-Teilenr.	1560-GCMX008B120B3H1P-ND
Hersteller	SemiQ
Hersteller-Teilenummer	GCMX008B120B3H1P
Beschreibung	GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO
Standardlieferzeit des Herstellers	6 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 120 A (Tc) 500W (Tc) Chassisbefestigung
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 12mOhm bei 100A, 18V
Hersteller SemiQ	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 120mA
Serie QSiC™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 493nC bei 18V
Verpackung Box	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 14400pF bei 800V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 500W (Tc)
Technologie Siliziumkarbid (SiC)	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration 4 N-Kanal (Vollbrücke)	Montagetyp Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV)	Gehäuse / Hülle Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 120 A (Tc)