Name: NXH008T120M3F2PTHG
Brand: onsemi
SKU: 5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND
Price: 157.236 EUR
Availability: InStock

MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 129 A (Tc) 371W (Tj) Chassisbefestigung 29-PIM (56,7x42,5)

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NXH008T120M3F2PTHG
DigiKey-Teilenr.	5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	NXH008T120M3F2PTHG
Beschreibung	MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 129 A (Tc) 371W (Tj) Chassisbefestigung 29-PIM (56,7x42,5)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 4,4V bei 60mA
Hersteller onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 454nC bei 20V
Verpackung Tablett	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 9129pF bei 800V
Status der Komponente Aktiv	Leistung - Max. 371W (Tj)
Technologie Siliziumkarbid (SiC)	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration 4 N-Kanal	Montagetyp Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200V (1,2kV)	Gehäuse / Hülle Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 129 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 29-PIM (56,7x42,5)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,5mOhm bei 100A, 18V	Basis-Produktnummer NXH008

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