MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 91 A (Tc) 272W (Tj) Chassisbefestigung 29-PIM (56,7x42,5)
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MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 91 A (Tc) 272W (Tj) Chassisbefestigung 29-PIM (56,7x42,5)
Enabling Future DCFC with onsemi’s EliteSiC Power Modules

NXH011T120M3F2PTHG

DigiKey-Teilenr.
5556-NXH011T120M3F2PTHG-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
NXH011T120M3F2PTHG
Beschreibung
MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 1200V (1,2kV) 91 A (Tc) 272W (Tj) Chassisbefestigung 29-PIM (56,7x42,5)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,4V bei 40mA
Hersteller
onsemi
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
306nC bei 20V
Verpackung
Tablett
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6331pF bei 800V
Status der Komponente
Aktiv
Leistung - Max.
272W (Tj)
Technologie
Siliziumkarbid (SiC)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Konfiguration
4 N-Kanal (Solar-Wechselrichter)
Montagetyp
Chassisbefestigung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V (1,2kV)
Gehäuse / Hülle
Modul
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
91 A (Tc)
Gehäusetyp vom Lieferanten
29-PIM (56,7x42,5)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
16mOhm bei 70A, 18V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
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