Name: IRLB8314PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRLB8314PBF-ND
Price: 1.98 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 30 V 171 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLB8314PBF
DigiKey-Teilenr.	448-IRLB8314PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLB8314PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 171 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLB8314PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 100µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 60 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5050 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 171 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer IRLB8314
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,4mOhm bei 68A, 10V

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 1,65000	€ 1,65
50	€ 0,78260	€ 39,13
100	€ 0,69740	€ 69,74
500	€ 0,54748	€ 273,74
1 000	€ 0,49927	€ 499,27
2 000	€ 0,45871	€ 917,42
5 000	€ 0,41482	€ 2.074,10
10 000	€ 0,38771	€ 3.877,10

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