Name: IRLB4132PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLB4132PBF-ND
Price: 2.616 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 30 V 78 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLB4132PBF
DigiKey-Teilenr.	IRLB4132PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLB4132PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 78A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 78 A (Tc) 140W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLB4132PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,35V bei 100µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 54 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5110 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 78 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer IRLB4132
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,5mOhm bei 40A, 10V

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Menge

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 2,18000	€ 2,18
10	€ 1,39400	€ 13,94
100	€ 0,94220	€ 94,22
500	€ 0,74892	€ 374,46
1 000	€ 0,68676	€ 686,76
2 000	€ 0,63449	€ 1.268,98
5 000	€ 0,57793	€ 2.889,65
10 000	€ 0,54301	€ 5.430,10

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