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IRFP4468PBF
Infineon Technologies
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N-Kanal 100 V 25A (Ta), 195A (Tc) 3,8W (Ta), 517W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
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IRFP4468PBFXKMA1

DigiKey-Teilenr.
448-IRFP4468PBFXKMA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRFP4468PBFXKMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 195A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 25A (Ta), 195A (Tc) 3,8W (Ta), 517W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
StrongIRFET™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
25A (Ta), 195A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,6mOhm bei 180A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V @ 1A
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
29000 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,8W (Ta), 517W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
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