Name: IRFP4668PBFXKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFP4668PBFXKMA1-ND
Price: 6.984 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 200 V 130 A (Tc) 520W Durchkontaktierung TO-247AC

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFP4668PBFXKMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IRFP4668PBFXKMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFP4668PBFXKMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V PG-TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 130 A (Tc) 520W Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,7mOhm bei 81A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Serie HEXFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 241 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±30V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10720 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 520W
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 130 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AC
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-247-3

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1	€ 5,82000	€ 5,82
25	€ 3,36440	€ 84,11
100	€ 2,77800	€ 277,80
500	€ 2,30858	€ 1.154,29
1 000	€ 2,15790	€ 2.157,90
2 000	€ 2,03129	€ 4.062,58

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