Name: IRFP4468PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFP4468PBF-ND
Price: 6.444 EUR
Availability: OutOfStock

IRFP4468PBF
DigiKey-Teilenr.	IRFP4468PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFP4468PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 195A TO247AC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 195 A (Tc) 520W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFP4468PBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nur verfügbar bis
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	195 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,6mOhm bei 180A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	540 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	19860 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	520W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IRFP4468

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 5,37000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 6,44400

IRFP4468PBF