Parametrisches Äquivalent
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IPW65R041CFDFKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPW65R041CFDFKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPW65R041CFDFKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 68,5 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 3,3mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 300 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8400 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 500W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 41mOhm bei 33,1A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R041CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 116 | IPW65R041CFDFKSA2-ND | € 11,13000 | Parametrisches Äquivalent |
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | € 13,31000 | Ähnlich |
| SIHG70N60AEF-GE3 | Vishay Siliconix | 35 | 742-SIHG70N60AEF-GE3-ND | € 11,59000 | Ähnlich |
| STW69N65M5 | STMicroelectronics | 461 | 497-12987-5-ND | € 11,60000 | Ähnlich |
| STW72N60DM2AG | STMicroelectronics | 375 | 497-16130-5-ND | € 7,79000 | Ähnlich |








