N-Kanal 650 V 58 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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STW69N65M5

DigiKey-Teilenr.
497-12987-5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STW69N65M5
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 58A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 58 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
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STW69N65M5 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
143 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6420 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
330W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
45mOhm bei 29A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 11,60000€ 11,60
30€ 7,05167€ 211,55
120€ 6,81275€ 817,53
Standardverpackung des Herstellers
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