Name: IPW65R041CFDFKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R041CFDFKSA2-ND
Price: 15.732 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 68,5 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW65R041CFDFKSA2
DigiKey-Teilenr.	IPW65R041CFDFKSA2-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPW65R041CFDFKSA2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 68,5 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPW65R041CFDFKSA2 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 3,3mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 300 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ CFD2	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8400 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 500W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 68,5 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPW65R041
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 41mOhm bei 33,1A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 13,11000	€ 13,11
30	€ 7,88800	€ 236,64
120	€ 6,74433	€ 809,32
510	€ 5,90704	€ 3.012,59
1 020	€ 5,60180	€ 5.713,84

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