STMicroelectronics

STPOWER-SiC-MOSFET

Hochmoderne MOSFET-Gehäuse von STMicroelectronics sind speziell für Automobil- und Industrieanwendungen konzipiert

Abbildung: STPOWER-SiC-MOSFET von STMicroelectronics (zum Vergrößern anklicken)Die STPOWER-SiC-MOSFET von STMicroelectronics bieten die fortschrittliche Effizienz und Zuverlässigkeit von Materialien mit breiter Bandlücke für ein breiteres Spektrum energiebewusster Anwendungen wie Wechselrichter für Elektro-/Hybridfahrzeuge, Solar- oder Windenergieerzeugung, hocheffiziente Antriebe, Stromversorgungen und Smart-Grid-Geräte. Mit einem erweiterten Spannungsbereich von 650 V bis 1700 V bieten diese MOSFET eine hervorragende Schaltleistung in Kombination mit einem sehr niedrigen flächenbezogenen Betriebswiderstand (RDS(ON)). Die SiC-MOSFET von ST ermöglichen die Entwicklung effizienterer und kompakterer Systeme als je zuvor. Die 1200-V-SiC-MOSFET von ST zeichnen sich durch eine herausragende Temperaturbeständigkeit von bis zu +200 °C aus und ermöglichen ein verbessertes thermisches Design in der Leistungselektronik. Im Vergleich zu Silizium-MOSFET weisen SiC-MOSFET außerdem deutlich geringere Schaltverluste bei minimalen Temperaturschwankungen auf.

Hauptmerkmale

  • Kfz-zugelassene Komponenten
  • Sehr hohe Temperaturbelastbarkeit (max. TJ = +200 °C)
  • Äußerst geringe Schaltverluste (minimale Temperaturschwankungen) ermöglichen Betrieb bei sehr hoher Schaltfrequenz
  • Niedriger Einschaltwiderstand über Temperatur
  • Einfach anzusteuern
  • Geschützt durch sehr schnelle und robuste Substratdiode

Gen 3

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT040HU65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE430 - Sofort$10.91Details anzeigen
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT055HU65G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE0 - Sofort$10.82Details anzeigen
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT060HU75G3AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE501 - Sofort$10.91Details anzeigen
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650SCT055TO65G3SILICON CARBIDE POWER MOSFET 65084 - Sofort$7.33Details anzeigen
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDESCT040W65G3-4AGAUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE5 - Sofort$10.74Details anzeigen

Gen 2

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreis
SICFET N-CH 1200V 33A HIP247SCTW40N120G2VAGSICFET N-CH 1200V 33A HIP247332 - Sofort$14.73Details anzeigen
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120SCTWA60N120G2-4SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120221 - Sofort$15.13Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 100A HIP247SCTW100N65G2AGSICFET N-CH 650V 100A HIP247387 - Sofort$29.53Details anzeigen
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7SCTH90N65G2V-7SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7474 - Sofort$20.52Details anzeigen
TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247SCTW70N120G2VTRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247438 - Sofort$27.87Details anzeigen

Gen 1

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungVerfügbare MengePreisDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2SCT20N120HSICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-20 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
HIP247 IN LINESCT1000N170HIP247 IN LINE348 - Sofort$7.60Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247SCT10N120SICFET N-CH 1200V 12A HIP2470 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
SICFET N-CH 1200V 65A HIP247SCT50N120SICFET N-CH 1200V 65A HIP247230 - Sofort$23.49Details anzeigen
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247SCT10N120AGSICFET N-CH 1200V 12A HIP2470 - Sofort$7.88Details anzeigen
Aktualisiert: 2024-11-22
Veröffentlicht: 2015-02-19

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