N-Kanal 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
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SCTWA60N120G2-4

DigiKey-Teilenr.
497-SCTWA60N120G2-4-ND
Hersteller
STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer
SCTWA60N120G2-4
Beschreibung
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 60 A (Tc) 388W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SCTWA60N120G2-4 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
STMicroelectronics
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
52mOhm bei 30A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
94 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1969 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
388W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 200°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
Gehäuse / Hülle
TO-247-4
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