Siliziumcarbid-(SiC)-MOSFETs

Diotec Semiconductor stellt eine Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFET-Familie vor, die Komponenten mit einer Vielzahl niedriger R_DS(ON)-Werte im Bereich von 23 mΩ bis 59 mΩ umfasst. Sie sind entweder in einem Standard-TO-247-3L-Gehäuse (mit drei Anschlüssen) oder in einem TO-247-4L-Gehäuse gekapselt mit einer vierten Kelvin-Quelle, was schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringere Leistungsverluste ermöglicht. Innerhalb der Produktfamilie bietet Diotec die Produkte DIF120SIC053-AQ, DIW120SIC023-AQ und DIW120SIC059-AQ an, wobei „-AQ“ für die vollständige Konformität mit AEC-Q101 steht.

Im Bereich der Leistungselektronik, in dem die Industrie eine Verbesserung der Energieeffizienz anstrebt, erweist sich SiC als vielversprechende Technologie der nächsten Generation. Sie verspricht überlegene Fähigkeiten, die die herkömmlichen siliziumbasierten Leistungs-MOSFETs übertreffen, darunter eine höhere Spannungsfestigkeit und deutlich geringere Energieverluste. Um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden, bietet Diotec eine Vielzahl von SiC-MOSFETs an, die ein umfassendes Portfolio für Anwendungen in industriellen Maschinen, Leistungswandlungssystemen, Photovoltaik-Wechselrichtern und Automobiltechnik abdecken.

Die Implementierung der Breitbandlückentechnologie ermöglicht es diesen Komponenten, bei Hochtemperaturanwendungen stabil zu funktionieren. Mit einem vergleichsweise geringeren Widerstand im EIN-Zustand erzeugen SiC-MOSFETs einen geringeren Schaltverlust pro Zyklus und steigern die Effizienz erheblich, während sie gleichzeitig eine höhere Schaltgeschwindigkeit in einem Stromumwandlungssystem beibehalten. Infolgedessen erweisen sich SiC-MOSFETs als die primäre Lösung für verschiedene Anwendungen, insbesondere für das Hochspannungsschalten bei höheren Frequenzen, eine Einschränkung, die bei siliziumbasierten MOSFETs auftritt. Darüber hinaus bestätigt die Eignung nach AEC-Q101 die Robustheit und hohe Zuverlässigkeit der SIC-MOSFET-Leistung, insbesondere in der Automobilindustrie.