N-Kanal 1200 V 118A (Tc) 715W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
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DIW120SIC028

DigiKey-Teilenr.
4878-DIW120SIC028-ND
Hersteller
Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
DIW120SIC028
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 118A TO-247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 118A (Tc) 715W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
DIW120SIC028 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
118A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
28mOhm bei 80A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 25mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
373 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5691 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
715W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
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