N-Kanal 1200 V 120 A (Tc) 340W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
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DIF120SIC022-AQ

DigiKey-Teilenr.
4878-DIF120SIC022-AQ-ND
Hersteller
Diotec Semiconductor
Hersteller-Teilenummer
DIF120SIC022-AQ
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 120A TO-247-4
Standardlieferzeit des Herstellers
9 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 120 A (Tc) 340W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
22,3mOhm bei 75A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 23,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
269 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+18V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4817 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
340W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
Gehäuse / Hülle
TO-247-4
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