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SIB452DK-T1-GE3 N-Kanal 190V 1,5 A (Tc) 2,4W (Ta), 13W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-75-6L Single
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  • Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)  : SIB452DK-T1-GE3TR-ND
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  • Digi-Reel®  : SIB452DK-T1-GE3DKR-ND
  • Mindestbestellmenge ist: 1
  • Verfügbare Menge: 12 076 - Sofort
  • Stückpreis: Digi-Reel®

SIB452DK-T1-GE3

Datenblatt
Digi-Key Teilenummer SIB452DK-T1-GE3CT-ND
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Hersteller

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Hersteller-Teilenummer SIB452DK-T1-GE3
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Beschreibung MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
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Standardlieferzeit des Herstellers 14 Wochen
Detaillierte Beschreibung

N-Kanal 190V 1,5 A (Tc) 2,4W (Ta), 13W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-75-6L Single

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Dokumente & Medien
Datenblätter SIB452DK
Videodatei MOSFET Technologies for Power Conversion
HTML-Datenblatt SIB452DK
Produkteigenschaften
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Kategorien
Hersteller Vishay Siliconix
Serie TrenchFET®
Verpackung Gurtabschnitt (CT) 
Status der Komponente Aktiv
FET-Typ N-Kanal
Technologie MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 190V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,4Ohm bei 500mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6,5nC @ 10V
Vgs (Max.) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 135pF @ 50V
FET-Merkmal -
Verlustleistung (max.) 2,4W (Ta), 13W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-75-6L Single
Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-75-6L
Basis der Teilenummer SIB452
 
Umwelt- und Exportklassifikationen
RoHS Status RoHS3-konform
Feuchteempfindlichkeit (MSL) 1 (Unbegrenzt)
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Zusätzliche Ressourcen
Standardpaket 1
Andere Namen SIB452DK-T1-GE3CT