Name: SIA456DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA456DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.584 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIA456DJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA456DJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA456DJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA456DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA456DJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 2,6 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIA456DJ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14.5 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 350 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-70-6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2,6 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-70-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Basis-Produktnummer SIA456
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,38Ohm bei 750mA, 4,5V