Name: SIB452DK-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIB452DK-T1-GE3TR-ND
Price: 1.392 EUR
Availability: InStock

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SIB452DK-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIB452DK-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIB452DK-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIB452DK-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIB452DK-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 190 V 1,5 A (Tc) 2,4W (Ta), 13W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-75-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIB452DK-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6.5 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 135 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,4W (Ta), 13W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 190 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-75-6
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,5 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-75-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 1,8V, 4,5V	Basis-Produktnummer SIB452
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,4Ohm bei 500mA, 4,5V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)