Transistoren - JFETs

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Herst.-Teilenr.	Preis	Lagerbestand	Lieferant	Herst.	Mindestmenge	DK-Teilenr.	Serie	Gehäuse	Status der Komponente	FET-Typ	Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)	Strom, Drain (Id) - max.	Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Widerstand - RDS(On)	Leistung - Max.	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

2SK880-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V 0.1W USM	€ 0,60000	10.768 - Sofort	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	1	2SK880-Y(TE85LF)TR-ND 2SK880-Y(TE85LF)CT-ND 2SK880-Y(TE85LF)DKR-ND	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	50 V	-	1.2 mA @ 10 V	-	1.5 V @ 100 nA	13pF bei 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	USM
CMPF4393 TR PBFREE JFET N-CH 40V 50MA SOT23	€ 1,09000	8.603 - Sofort	Central Semiconductor Corp	Central Semiconductor Corp	1	1514-CMPF4393TRPBFREETR-ND 1514-CMPF4393TRPBFREECT-ND 1514-CMPF4393TRPBFREEDKR-ND	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	40 V	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF bei 20V	100 Ohms	350 mW	-65°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18	€ 3,08000	2.752 - Sofort	Central Semiconductor Corp	Central Semiconductor Corp	1	1514-2N4393PBFREE-ND	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF bei 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18
BSR57 JFET N-CH 40V 0.25W SOT-23	€ 0,40000	16.456 - Sofort	onsemi	onsemi	1	BSR57TR-ND BSR57CT-ND BSR57DKR-ND	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	20 mA @ 15 V	-	2 V @ 0.5 nA	-	40 Ohms	250 mW	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3	€ 0,42000	20.943 - Sofort 16.000 - Hersteller	onsemi	onsemi	1	J111-D74ZCT-ND J111-D74ZTB-ND	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
2SK879-GR(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM	€ 0,42000	4.325 - Sofort	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	1	2SK879-GR(TE85LF)TR-ND 2SK879-GR(TE85LF)CT-ND 2SK879-GR(TE85LF)DKR-ND	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	-	-	2.6 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF bei 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	USM
J113-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92	€ 0,42000	15.503 - Sofort	onsemi	onsemi	1	J113-D74ZCT-ND J113-D74ZTB-ND	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
2SK932-23-TB-E JFET N-CH 50MA 200MW 3CP	€ 0,57000	3.367 - Sofort	onsemi	onsemi	1	2SK932-23-TB-EOSTR-ND 2SK932-23-TB-EOSCT-ND 2SK932-23-TB-EOSDKR-ND	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	-	15 V	10 mA @ 5 V	50 mA	200 mV @ 100 µA	-	-	200 mW	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SMCP
J111 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3	€ 0,41000	37.630 - Sofort	onsemi	onsemi	1	J111FS-ND	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)	TO-92-3
J112 JFET N-CH 35V 625MW TO92	€ 0,46000	9.515 - Sofort	onsemi	onsemi	1	J112FS-ND	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)	TO-92-3
JFE150DCKR ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN	€ 2,80000	5.706 - Sofort 9.000 - Hersteller	Texas Instruments	Texas Instruments	1	296-JFE150DCKRTR-ND 296-JFE150DCKRCT-ND 296-JFE150DCKRDKR-ND	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	40 V	24 mA @ 10 V	50 mA	-	24pF bei 5V	-	-	-40°C bis 125°C (TA)	Oberflächenmontage	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SC-70-5
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18	€ 3,02000	12.728 - Sofort	Central Semiconductor Corp	Central Semiconductor Corp	1	1514-2N4392PBFREE-ND	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF bei 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18
2N4858A JFET N-CH 40V 0.36W TO-18	€ 4,61000	569 - Sofort	Central Semiconductor Corp	Central Semiconductor Corp	1	2N4858A-ND	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	10pF bei 10V (VGS)	60 Ohms	360 mW	-65°C bis 200°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18
UJ3N065080K3S 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,	€ 8,41000	3.584 - Sofort	UnitedSiC	UnitedSiC	1	2312-UJ3N065080K3S-ND	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	650 V	650 V	-	32 A	-	630pF bei 100V	95 mOhms	190 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120070K3S 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON	€ 15,34000	4.915 - Sofort	UnitedSiC	UnitedSiC	1	2312-UJ3N120070K3S-ND	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	1200 V	1200 V	-	33.5 A	-	985pF bei 100V	90 mOhms	254 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N065025K3S 650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,	€ 19,70000	1.472 - Sofort	UnitedSiC	UnitedSiC	1	2312-UJ3N065025K3S-ND	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	650 V	650 V	-	85 A	-	2360pF bei 100V	33 mOhms	441 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120035K3S 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON	€ 28,19000	1.701 - Sofort	UnitedSiC	UnitedSiC	1	2312-UJ3N120035K3S-ND	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF bei 100V	45 mOhms	429 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
TF222B-B4-TL-E-ON N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER	€ 0,01924	4.248.000 - Sofort	Rochester Electronics, LLC	onsemi	15.000	2156-TF222B-B4-TL-E-ON-ND	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FJZ594JCTF TRANSISTOR	€ 0,01924	1.271.060 - Sofort	Rochester Electronics, LLC	Fairchild Semiconductor	15.000 Nicht auf Lager	2156-FJZ594JCTF-ND	-	Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	20 V	-	150 µA @ 5 V	1 mA	600 mV @ 1 µA	3,5pF bei 5V	-	100 mW	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-623F	SOT-623F
FJZ594JBTF TRANSISTOR	€ 0,01924	687.000 - Sofort	Rochester Electronics, LLC	Fairchild Semiconductor	15.000 Nicht auf Lager	2156-FJZ594JBTF-ND	-	Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	20 V	-	150 µA @ 5 V	1 mA	600 mV @ 1 µA	3,5pF bei 5V	-	100 mW	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-623F	SOT-623F
TF222B-B4-TL-E N CHANNEL SILICON JFET CONDENSER	€ 0,01924	64.000 - Sofort	Rochester Electronics, LLC	Sanyo	15.000	2156-TF222B-B4-TL-E-ND	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
FJX597JHTF SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	€ 0,01924	56.000 - Sofort	Rochester Electronics, LLC	Fairchild Semiconductor	15.000 Nicht auf Lager	2156-FJX597JHTF-ND	-	Lose im Beutel	Obsolet	N-Kanal	20 V	-	150 µA @ 5 V	1 mA	600 mV @ 1 µA	3,5pF bei 5V	-	100 mW	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	SC-70-3 (SOT323)
TF218THC-5-TL-H N CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT	€ 0,03849	144.000 - Sofort	Rochester Electronics, LLC	onsemi	7.212	2156-TF218THC-5-TL-H-ND	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TF218THC-5-TL-H-SY N CHANNEL SILICON JFET FOR ELECT	€ 0,03849	40.000 - Sofort	Rochester Electronics, LLC	Sanyo	7.212	2156-TF218THC-5-TL-H-SY-ND	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
TF410-TL-HX N-CHANNEL SILICON JUNCTION FET	€ 0,04811	70.000 - Sofort	Rochester Electronics, LLC	Sanyo	5.770	2156-TF410-TL-HX-ND	*	Lose im Beutel	Aktiv	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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