Transistoren - JFETs

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Hersteller
Central Semiconductor CorpInfineon TechnologiesLinear SystemsMicrochip TechnologyMicrosemi CorporationNXP USA Inc.onsemiPanasonic Electronic ComponentsRenesas Electronics America IncRohm SemiconductorTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageUnitedSiC
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Serie
-*Automotive, AEC-Q101Military, MIL-PRF-19500Military, MIL-PRF-19500/295Military, MIL-PRF-19500/375Military, MIL-PRF-19500/385Military, MIL-PRF-19500/431
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Verpackung
Band & Box (TB)BoxDigi-Reel®Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)Gurtabschnitt (CT)Lose im BeutelStangeTablettTasche
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Status der Komponente
AktivBei Digi-Key nicht mehr erhältlichNur verfügbar bisObsolet
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FET-Typ
2 N-Kanal (zweifach)-N-KanalP-Kanal
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Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
15 V20 V22 V25 V30 V35 V40 V50 V650 V1200 V
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Drain-Source-Spannung (Vdss)
0.6 V15 V20 V25 V30 V35 V40 V50 V55 V650 V1200 V
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Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
1.4 µA @ 10 V1.5 µA @ 1200 V3.3 µA @ 1200 V5 µA @ 1200 V30 µA @ 10 V50 µA @ 10 V50 µA @ 20 V60 µA @ 10 V80 µA @ 10 V100 µA @ 2 V100 µA @ 5 V
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Strom, Drain (Id) - max.
100 pA250 pA1 mA2 mA5 mA6.5 mA10 mA20 mA30 mA50 mA26 A32 A33.5 A
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Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
0 V @ 10 µA100 mV @ 1 µA100 mV @ 10 µA180 mV @ 1 µA200 mV @ 1 µA200 mV @ 100 nA200 mV @ 100 µA300 mV @ 10 nA300 mV @ 100 nA300 mV @ 100 µA400 mV @ 100 nA
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Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
0,7pF bei 10V1pF bei 10V1,7pF bei 10V2,2pF bei 15V3pF bei 10V3,1pF bei 2V3,5pF bei 2V3,5pF bei 5V4pF bei 10V4pF bei 15V4,1pF bei 5V4,5pF bei 15V4,9pF bei 5V
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Widerstand - RDS(On)
33 mOhms45 mOhms55 mOhms70 mOhms90 mOhms95 mOhms100 mOhms3 Ohms5 Ohms6 Ohms7 Ohms
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Leistung - Max.
30 mW100 mW125 mW150 mW190 mW200 mW225 mW250 mW300 mW310 mW325 mW
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Betriebstemperatur
-65°C bis 135°C (TJ)-65°C bis 150°C (TJ)-65°C bis 175°C (TJ)-65°C bis 200°C (TJ)-55°C bis 150°C (TJ)-55°C bis 175°C (TJ)-55°C bis 200°C (TJ)-50°C bis 150°C (TJ)-40°C bis 125°C (TA)-40°C bis 125°C (TJ)-40°C bis 85°C (TA)-20°C bis 80°C (TA)125°C (TJ)
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Montagetyp
-DurchkontaktierungOberflächenmontage
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Gehäuse / Hülle
3-SMD, flacher Anschluss3-SMD, ohne Anschlüsse3-SSIP3-XFDFN4-SMD, ohne Anschlüsse5-SMD, flache Anschlüsse5-TSSOP, SC-70-5, SOT-3536-TSSOP, SC-88, SOT-3638-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)-EinsatzSC-70, SOT-323SC-72
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Gehäusetyp vom Lieferanten
3-CP3-CPH3-MCPH3-MPAK3-SPA3-UB (3,09x2,45)3-USFP3-VTFP4-SMD5-MCPH6-CPH6-TSSOP8-SOIC
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Lagerungsoptionen
Medien
Umweltschutzoptionen
MARKTPLATZPRODUKT
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Herst.-Teilenr.
Preis
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Lieferant
Herst.
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DK-Teilenr.
Serie
Gehäuse
Status der Komponente
FET-Typ
Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)
Strom, Drain (Id) - max.
Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
Widerstand - RDS(On)
Leistung - Max.
Betriebstemperatur
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23-3
MMBFJ112
JFET N-CH 35V 0.35W SOT-23
€ 0,37000
11.758 - Immediate
onsemionsemi
1
MMBFJ112TR-ND
MMBFJ112CT-ND
MMBFJ112DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms350 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
SOT-23-3
MMBFJ201
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
€ 0,44000
8.658 - Immediate
onsemionsemi
1
MMBFJ201TR-ND
MMBFJ201CT-ND
MMBFJ201DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal40 V-200 µA @ 20 V-300 mV @ 10 nA--350 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
SOT-23-3
MMBF4117
JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
€ 0,47000
22.073 - Immediate
onsemionsemi
1
MMBF4117TR-ND
MMBF4117CT-ND
MMBF4117DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal40 V-30 µA @ 10 V-600 mV @ 1 nA3pF bei 10V-225 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
€ 0,55000
17.550 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-Y(TE85LF)TR-ND
2SK880-Y(TE85LF)CT-ND
2SK880-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-1.2 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
TO-206AA TO-18-3
2N4392 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
€ 2,79000
15.378 - Immediate
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4392PBFREE-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-25 mA @ 20 V-2 V @ 1 nA14pF bei 20V60 Ohms1.8 W-65°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
TO-206AA TO-18-3
2N4393 PBFREE
JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
€ 2,84000
399 - Immediate
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
1514-2N4393PBFREE-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-5 mA @ 20 V-500 mV @ 1 nA14pF bei 20V100 Ohms1.8 W-65°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
TO-92-3 Formed Leads
J111-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,45000
21.266 - Immediate
54.000 - Factory
onsemionsemi
1
J111-D26ZTR-ND
J111-D26ZCT-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
AktivN-Kanal35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
SOT-23-3,TO-236-3,Micro3,SSD3,SST3
MMBF4392LT1G
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
€ 0,38000
17.294 - Immediate
onsemionsemi
1
MMBF4392LT1GOSTR-ND
MMBF4392LT1GOSCT-ND
MMBF4392LT1GOSDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal30 V30 V25 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA14pF bei 15V60 Ohms225 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SOT-23-3 (TO-236)
TO-92-3 Formed Leads
J113-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,38000
18.372 - Immediate
onsemionsemi
1
J113-D74ZCT-ND
J113-D74ZTB-ND
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
AktivN-Kanal35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-Y(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
€ 0,39000
8.346 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-Y(TE85LF)TR-ND
2SK879-Y(TE85LF)CT-ND
2SK879-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal--1.2 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
TO-92-3 Formed Leads
J109-D26Z
JFET N-CH 25V 625MW TO92
€ 0,49000
3.431 - Immediate
onsemionsemi
1
J109-D26ZTR-ND
J109-D26ZCT-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
AktivN-Kanal25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
SC-70, SOT-323 PKG
2SK880-BL(TE85L,F)
JFET N-CH 50V 0.1W USM
€ 0,55000
3.965 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK880-BL(TE85LF)TR-ND
2SK880-BL(TE85LF)CT-ND
2SK880-BL(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal50 V-6 mA @ 10 V-1.5 V @ 100 nA13pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323SC-70
SOT-23-3
NSVJ3910SB3T1G
IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH
€ 0,55000
6.572 - Immediate
onsemionsemi
1
NSVJ3910SB3T1GOSTR-ND
NSVJ3910SB3T1GOSCT-ND
NSVJ3910SB3T1GOSDKR-ND
Automotive, AEC-Q101
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal25 V25 V20 mA @ 5 V50 mA600 mV @ 100 µA6pF bei 5V-400 mW-55°C bis 150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-33-CPH
SC-74A, SOT-753
2SK2145-Y(TE85L,F)
MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
€ 0,63000
4.714 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK2145-Y(TE85LF)TR-ND
2SK2145-Y(TE85LF)CT-ND
2SK2145-Y(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv2 N-Kanal (zweifach)--1.2 mA @ 10 V-200 mV @ 100 nA13pF bei 10V-300 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-74A, SOT-753SMV
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J113
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,38000
5.289 - Immediate
onsemionsemi
1
J113FS-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-2 mA @ 15 V-500 mV @ 1 µA-100 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J112
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,42000
8.510 - Immediate
onsemionsemi
1
J112FS-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J109
JFET N-CH 25V 625MW TO92
€ 0,43000
6.401 - Immediate
onsemionsemi
1
J109FS-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal25 V-40 mA @ 15 V-2 V @ 10 nA-12 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
J111
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,44000
38.773 - Immediate
50.000 - Factory
onsemionsemi
1
J111FS-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal35 V-20 mA @ 15 V-3 V @ 1 µA-30 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)TO-92-3
TO-206AA TO-18-3
2N4858A
JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
€ 3,91000
115 - Immediate
Central Semiconductor CorpCentral Semiconductor Corp
1
2N4858A-ND
-
Lose im Beutel
AktivN-Kanal40 V-8 mA @ 15 V-800 mV @ 0.5 nA10pF bei 10V (VGS)60 Ohms360 mW-65°C bis 200°C (TJ)DurchkontaktierungTO-206AA, TO-18-3 MetallgehäuseTO-18
SC-70, SOT-323 PKG
2SK879-GR(TE85L,F)
JFET N-CH 0.1W USM
€ 0,39000
5.559 - Immediate
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
1
2SK879-GR(TE85LF)TR-ND
2SK879-GR(TE85LF)CT-ND
2SK879-GR(TE85LF)DKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal--2.6 mA @ 10 V-400 mV @ 100 nA8,2pF bei 10V-100 mW125°C (TJ)OberflächenmontageSC-70, SOT-323USM
1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
UJ3N120065K3S
1200V/65MOHM, SIC, N-ON JFET, G3
€ 13,35000
569 - Immediate
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N120065K3S-ND
-
Stange
AktivN-Kanal1200 V1200 V5 µA @ 1200 V34 A-1008pF bei 100V55 mOhms254 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247-3
UJ3N065025K3S
UJ3N065025K3S
650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
€ 15,81000
404 - Immediate
UnitedSiCUnitedSiC
1
2312-UJ3N065025K3S-ND
-
Stange
AktivN-Kanal650 V650 V-85 A-2360pF bei 100V33 mOhms441 W-55°C bis 175°C (TJ)DurchkontaktierungTO-247-3TO-247-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D26Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
€ 0,36000
1.624 - Immediate
onsemionsemi
1
J112-D26ZTR-ND
J112-D26ZCT-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
TO-92-3 Formed Leads
J112-D74Z
JFET N-CH 35V 625MW TO92
€ 0,38000
3.592 - Immediate
onsemionsemi
1
J112-D74ZCT-ND
J112-D74ZTB-ND
-
Gurtabschnitt (CT)
Band & Box (TB)
AktivN-Kanal35 V-5 mA @ 15 V-1 V @ 1 µA-50 Ohms625 mW-55°C bis 150°C (TJ)DurchkontaktierungTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten ZuleitungenTO-92-3
SOT-23-3
2SK932-23-TB-E
JFET N-CH 50MA 200MW 3CP
€ 0,39000
822 - Immediate
753.000 - Factory
onsemionsemi
1
2SK932-23-TB-EOSTR-ND
2SK932-23-TB-EOSCT-ND
2SK932-23-TB-EOSDKR-ND
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
AktivN-Kanal-15 V10 mA @ 5 V50 mA200 mV @ 100 µA--200 mW150°C (TJ)OberflächenmontageTO-236-3, SC-59, SOT-23-3SMCP
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