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Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Gehäuse	Produktstatus	FET-Typ	Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS)	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom - Drain (Idss) bei Vds (Vgs=0)	Strom, Drain (Id) - max.	Spannung - Abschaltung (VGS aus) bei Id	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	Widerstand - RDS(On)	Leistung - Max.	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten

MMBFJ175LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	111 804 Vorrätig	1 : € 0,35000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,10049 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	11pF bei 10V (VGS)	125 Ohms	225 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBFJ112 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	48 191 Vorrätig	1 : € 0,47000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,10549 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	350 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ177LT1G JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	35 349 Vorrätig	1 : € 0,50000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,14288 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	30 V	-	1.5 mA @ 15 V	-	800 mV @ 10 nA	11pF bei 10V (VGS)	300 Ohms	225 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF4117 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	12 874 Vorrätig	1 : € 0,51000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,14418 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	30 µA @ 10 V	-	600 mV @ 1 nA	3pF bei 10V	-	225 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBFJ176 JFET P-CH 30V SOT23-3 onsemi	62 174 Vorrätig	1 : € 0,43000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,15429 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	P-Kanal	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	1 V @ 10 nA	-	250 Ohms	225 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
2SK3320-BL(TE85L,F JFET N-CH USV Toshiba Semiconductor and Storage	72 219 Vorrätig	1 : € 0,69000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,26905 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	-	-	6 mA @ 10 V	-	200 mV @ 100 nA	13pF bei 10V	-	200 mW	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	USV
CMPF4393 TR PBFREE JFET N-CH 40V SOT23 Central Semiconductor Corp	10 389 Vorrätig	1 : € 1,00000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,42563 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	40 V	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF bei 20V	100 Ohms	350 mW	-65°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	5 291 Vorrätig	1 : € 2,78000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF bei 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V TO18 Central Semiconductor Corp	3 166 Vorrätig	1 : € 2,82000 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF bei 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-206AA, TO-18-3 Metallgehäuse	TO-18
UF3N170400B7S JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7 Qorvo	4 290 Vorrätig	1 : € 8,37000 Gurtabschnitt (CT) 800 : € 5,45086 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	1700 V	1700 V	2.2 µA @ 1700 V	6.8 A	-	225pF bei 100V	500 mOhms	68 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-8, D²Pak (7 Anschlüsse+Fahne), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N120070K3S JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3 Qorvo	5 476 Vorrätig	1 : € 14,07000 Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	1200 V	1200 V	-	33.5 A	-	985pF bei 100V	90 mOhms	254 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120035K3S JFET N-CH 1200V 63A TO247-3 Qorvo	1 172 Vorrätig	1 : € 25,88000 Stange	-	Stange	Aktiv	N-Kanal	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF bei 100V	45 mOhms	429 W	-55°C bis 175°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-247-3	TO-247-3
BSR58 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	5 939 Vorrätig	1 : € 0,41000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09141 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	-	60 Ohms	250 mW	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
TF412ST5G JFET N-CH 30V 10MA SOT883 onsemi	52 519 Vorrätig	1 : € 0,36000 Gurtabschnitt (CT) 8 000 : € 0,09531 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	30 V	30 V	1.2 mA @ 10 V	10 mA	180 mV @ 1 µA	4pF bei 10V	-	100 mW	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	3-XFDFN	SOT-883 (XDFN3) (1x0,6)
MMBFJ113 JFET N-CH 35V SOT23-3 onsemi	14 572 Vorrätig	1 : € 0,43000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,09640 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	350 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	24 353 Vorrätig	1 : € 0,35000 Gurtabschnitt (CT) 2 000 : € 0,09985 Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
MMBFJ202 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	10 565 Vorrätig	1 : € 0,46000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,10246 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	900 µA @ 20 V	-	800 mV @ 10 nA	-	-	350 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
MMBF4393LT1G JFET N-CH 30V SOT23-3 onsemi	46 293 Vorrätig	1 : € 0,46000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,10345 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	30 V	30 V	5 mA @ 15 V	-	500 mV @ 10 nA	14pF bei 15V	100 Ohms	225 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
BSR57 JFET N-CH 40V SOT23-3 onsemi	25 000 Vorrätig	1 : € 0,38000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,10777 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	40 V	-	20 mA @ 15 V	-	2 V @ 0.5 nA	-	40 Ohms	250 mW	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J112-D26Z JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	5 887 Vorrätig	1 : € 0,38000 Gurtabschnitt (CT) 2 000 : € 0,10797 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	-	50 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
J111-D26Z JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	43 042 Vorrätig 24 000 Factory	1 : € 0,44000 Gurtabschnitt (CT) 2 000 : € 0,12622 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT)	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	-	30 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
2SK208-R(TE85L,F) JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI Toshiba Semiconductor and Storage	36 816 Vorrätig	1 : € 0,45000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,12984 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	50 V	-	300 µA @ 10 V	6.5 mA	400 mV @ 100 nA	8,2pF bei 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
2SK208-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI Toshiba Semiconductor and Storage	7 805 Vorrätig	1 : € 0,45000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,12984 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	50 V	-	1.2 mA @ 10 V	6.5 mA	400 mV @ 100 nA	8,2pF bei 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	S-Mini
J113-D74Z JFET N-CH 35V TO92-3 onsemi	91 891 Vorrätig 2 000 Factory	1 : € 0,46000 Gurtabschnitt (CT) 2 000 : € 0,13253 Band & Box (TB)	-	Gurtabschnitt (CT) Band & Box (TB)	Aktiv	N-Kanal	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	-	100 Ohms	625 mW	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) mit geformten Zuleitungen	TO-92-3
2SK879-Y(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	24 038 Vorrätig	1 : € 0,39000 Gurtabschnitt (CT) 3 000 : € 0,13703 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	N-Kanal	-	-	1.2 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF bei 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	USM

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Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (Junction-gate Field-Effect Transistors, JFETs) sind Komponenten, die als elektronisch gesteuerte Schalter, Verstärker oder spannungsgesteuerte Widerstände eingesetzt werden. Eine Potenzialdifferenz mit korrekter Polarität, die an die Gate- und Source-Anschlüsse angelegt wird, erhöht den Widerstand gegen den Stromfluss. Das bedeutet, dass weniger Strom in dem Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt. JFETs benötigen keinen Ruhestrom, weil bei ihnen eine Ladung durch einen halbleitenden Kanal zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen fließt.

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