IGBT-Arrays

Angezeigt werden

von 20

Herst.-Teilenr.	Verfügbare Menge	Preis	Serie	Verpackung	Produktstatus	IGBT-Typ	Konfiguration	Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (max.)	Leistung - Max.	Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	Strom - Kollektor, Reststrom (max.)	Eingangskapazität (Cies) bei Vce	Eingang	NTC-Thermistor	Betriebstemperatur	Montagetyp	Gehäuse / Hülle	Gehäusetyp vom Lieferanten
MMIX4G20N250 IGBT F BRIDGE 2500V 23A 24SMPD IXYS	301 Vorrätig 400 Fabrik	1 : € 101,17000 Stange	-	Stange	Aktiv	-	Vollbrücke	2500 V	23 A	100 W	3,1V bei 15V, 20A	10 µA	1.19 nF @ 15 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	24-SMD-Modul, 9 Anschlüsse	24-SMPD
MMIX4B22N300 IGBT TRANS 3000V 38A IXYS	54 Vorrätig	1 : € 82,78000 Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	Vollbrücke	3000 V	38 A	150 W	2,7V bei 15V, 22A	35 µA	2.2 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	24-SMD-Modul, 9 Anschlüsse	24-SMPD
MMIX4B20N300 IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD IXYS	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	1 : € 116,53000 Stange	BIMOSFET™	Stange	Aktiv	-	Vollbrücke	3000 V	34 A	150 W	3,2V bei 15V, 20A	-	-	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	24-SMD-Modul, 9 Anschlüsse	24-SMPD
STGSH50M120D TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, STMicroelectronics	0 Vorrätig Informationen zur Lieferzeit	1 : € 19,83000 Gurtabschnitt (CT) 200 : € 11,32165 Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Aktiv	-	Halbbrücke	1200 V	69 A	536 W	2,3V bei 15V, 50A	25 µA	3152 pF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	9-PowerSMD	9-ACEPACK SMIT
FII30-06D IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5 IXYS	0 Vorrätig	25 : € 6,07800 Stange	-	Stange	Obsolet	NPT	Halbbrücke	600 V	30 A	100 W	2,4V bei 15V, 20A	600 µA	1.1 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII40-06D IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5 IXYS	0 Vorrätig	25 : € 6,67320 Lose im Beutel	-	Lose im Beutel	Obsolet	NPT	Halbbrücke	600 V	40 A	125 W	2,2V bei 15V, 25A	600 µA	1.6 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII24N17AH1 IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 Vorrätig	Aktiv	-	Box	Aktiv	NPT	Halbbrücke	1700 V	18 A	140 W	6V bei 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII24N17AH1S IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 Vorrätig	Aktiv	-	Box	Aktiv	NPT	Halbbrücke	1700 V	18 A	140 W	6V bei 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	Nein	-	Durchkontaktierung	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII30-12E IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5 IXYS	0 Vorrätig	Obsolet	-	Stange	Obsolet	NPT	Halbbrücke	1200 V	33 A	150 W	2,9V bei 15V, 20A	200 µA	1.2 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII50-12E IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5 IXYS	0 Vorrätig	Obsolet	-	Stange	Obsolet	NPT	Halbbrücke	1200 V	50 A	200 W	2,6V bei 15V, 30A	400 µA	2 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
IXA20PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD IXYS	0 Vorrätig	Obsolet	-	Stange	Obsolet	PT	Halbbrücke	1200 V	32 A	130 W	2,1V bei 15V, 15A	125 µA	-	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	9-SMD-Modul	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA20PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD IXYS	0 Vorrätig	Obsolet	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	PT	Halbbrücke	1200 V	32 A	130 W	2,1V bei 15V, 15A	125 µA	-	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	9-SMD-Modul	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD IXYS	0 Vorrätig	Obsolet	-	Stange	Obsolet	PT	Halbbrücke	1200 V	43 A	150 W	2,2V bei 15V, 25A	2.1 mA	-	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	9-SMD-Modul	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD IXYS	0 Vorrätig	Obsolet	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	PT	Halbbrücke	1200 V	43 A	150 W	2,2V bei 15V, 25A	2.1 mA	-	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	9-SMD-Modul	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 Vorrätig	Obsolet	-	Stange	Obsolet	PT	Halbbrücke	1200 V	63 A	230 W	2,15V bei 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	9-SMD-Modul	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 Vorrätig	Obsolet	-	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	PT	Halbbrücke	1200 V	63 A	230 W	2,15V bei 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	9-SMD-Modul	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 Vorrätig	Obsolet	ISOPLUS™	Stange	Obsolet	PT	Halbbrücke	1200 V	63 A	230 W	2,15V bei 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	9-SMD-Modul	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 Vorrätig	Obsolet	ISOPLUS™	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Obsolet	PT	Halbbrücke	1200 V	63 A	230 W	2,15V bei 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	9-SMD-Modul	ISOPLUS-SMPD™.B
FII24N170AH1 IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 Vorrätig	Obsolet	-	Stange	Obsolet	NPT	Halbbrücke	1700 V	18 A	140 W	6V bei 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	Nein	-55°C bis 150°C (TJ)	Durchkontaktierung	i4-Pac™-4, isoliert	ISOPLUS i4-PAC™
AOMU66464Q AOMU66464Q Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 Vorrätig	Obsolet	-	Lose im Beutel	Obsolet	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

Angezeigt werden

von 20

IGBTs (Insulated-Gate Bipolar Transistors) sind hoch effiziente und schnell schaltende Leistungshalbleiterkomponenten mit drei Anschlüssen, die in erster Linie als elektronische Schalter eingesetzt werden. Sie werden in Schaltnetzteilen in Hochleistungsanwendungen genutzt, zum Beispiel in VFDs (Variable-Frequency Drives), Elektrofahrzeugen, Zügen, Vorschaltgeräten für Lampen und Klimaanlagen, aber auch in Schaltverstärkern für Soundsysteme und industriellen Steuerungssystemen. IGBT-Arrays enthalten mehrere Komponenten in einem Gehäuse, in Voll- oder Halbbrückenkonfigurationen.