Leistungstreibermodule

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Strom
Spannung
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Qualifizierung
Montagetyp
Gehäuse / Hülle
CIPOS Series
IKCM30F60GAXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
2 241
Vorrätig
1 : € 13,12000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
FPDB40PH60B
FPDB40PH60B
MODULE SPM 600V 40A SPMGC
onsemi
133
Vorrätig
1 : € 19,22000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
2 Phasen
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul (1,205", 30,60mm)
SPM27CC
FSBB20CH60C
MODULE SPM 600V 20A 27PWRDIP
onsemi
307
Vorrätig
1 : € 21,57000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul (1,205", 30,60mm)
SPM27CC
FSBB30CH60C
MODULE SPM 600KV 30A 27PWRDIP
onsemi
161
Vorrätig
1 : € 24,47000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
30 A
600 V
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul (1,205", 30,60mm)
52 VQFN
LMG3522R030RQSR
650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Texas Instruments
1 537
Vorrätig
1 : € 24,73000
Gurtabschnitt (CT)
2 000 : € 11,67915
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrückenwechselrichter
55 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
52-VQFN mit freiliegendem Pad
27-DIP Module
FNB34060T
PWR DRVR MOD 600V 40A 27PWRDIP
onsemi
110
Vorrätig
240
Fabrik
1 : € 26,97000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
27-PowerDIP-Modul (1,205", 30,60mm)
LMG3526R030RQST
LMG3522R030QRQSTQ1
AUTOMOTIVE 650-V 30-M GAN FET WI
Texas Instruments
240
Vorrätig
1 : € 33,98000
Gurtabschnitt (CT)
250 : € 23,44284
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrückenwechselrichter
55 A
650 V
-
Automobiltechnik
AEC-Q100
Oberflächenmontage, benetzbare Flanke
52-VQFN mit freiliegendem Pad
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
SCALE-2 PNP DUAL GATE DRVR 1.7KV
Power Integrations
558
Vorrätig
1 : € 204,01000
Tablett
Tablett
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
1800 A
1.7 kV
5000Vrms
-
-
-
Modul
35
Vorrätig
1 : € 629,24000
Lose im Beutel
-
Lose im Beutel
Aktiv
MOSFET
3 Phasen
10 A
50 V
-
-
-
Oberflächenmontage
18-SMD-Modul
CIPOS-Mini_24
IM828XCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 35A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
197
Vorrätig
Aktiv
Stange
Aktiv
IGBT
3-phasiger Wechselrichter
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,094", 27,80mm)
22-QFN
AOZ5507QI_2
25V/30A 5X5 DRMOS POWER MODULE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8 700
Vorrätig
1 : € 2,46000
Gurtabschnitt (CT)
5 000 : € 0,70909
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
1-phasig
30 A
-
-
-
-
Oberflächenmontage
22-poliges PowerVFQFN-Modul
39-VFQFN
FDMF5062
SMART POWER STAGE 70A 39PQFN
onsemi
2 069
Vorrätig
1 : € 4,81000
Gurtabschnitt (CT)
3 000 : € 1,76975
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
-
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
1-phasig
70 A
30 V
-
-
-
Oberflächenmontage
39-PowerVFQFN
30-QFN
NV6128
GANFAST SINGLE, 650V, 70MOHMS, P
Navitas Semiconductor, Inc.
3 579
Vorrätig
1 : € 9,71000
Gurtabschnitt (CT)
5 000 : € 4,47359
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrücke
20 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
30-PowerVQFN
NV6115
NV6117
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 8QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
2 016
Vorrätig
1 : € 6,27000
Gurtabschnitt (CT)
5 000 : € 2,92813
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrücke
12 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
8-PowerVDFN
NV6115
NV6117-RA
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 8QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3 002
Vorrätig
1 : € 7,09000
Gurtabschnitt (CT)
1 000 : € 2,92813
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Aktiv
MOSFET
Halbbrücke
12 A
650 V
-
-
-
Oberflächenmontage
8-PowerVDFN
588
Vorrätig
1 : € 8,41000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
260
Vorrätig
1 : € 9,76000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
6 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
117
Vorrätig
1 : € 10,33000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
274
Vorrätig
1 : € 11,42000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
280
Vorrätig
1 : € 11,64000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IKCM20L60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
315
Vorrätig
1 : € 12,50000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGCM20F60GAXKMA1
IGBT 600V 20A 24PWRDIP MOD
Infineon Technologies
207
Vorrätig
Aktiv
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
24-PowerDIP-Modul (1,028", 26,10mm)
FNx4x060x2
FNB41060B2
IGBT 3PH 600V 10A MODULE
onsemi
149
Vorrätig
1 : € 14,35000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-PowerDIP-Modul (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
FNB41560
MODULE SPM 600V 15A 26PWRDIP
onsemi
135
Vorrätig
1 : € 14,69000
Stange
Stange
Nicht für Neukonstruktionen
IGBT
3 Phasen
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-PowerDIP-Modul (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
FNB41060
MOD SPM 600V 10A SPM26-AA
onsemi
105
Vorrätig
1 : € 14,69000
Stange
Stange
Aktiv
IGBT
3 Phasen
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Durchkontaktierung
26-PowerDIP-Modul (1,024", 26,00mm)
Angezeigt werden
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Leistungstreibermodule


Leistungstreibermodule bieten die physische Hülle für Leistungskomponenten, in der Regel IGBTs und MOSFETs in einer Halbbrücke oder in ein-, zwei- oder dreiphasigen Konfigurationen. Die Leistungshalbleiter oder Chips werden auf ein Substrat gelötet oder gesintert, das die Leistungshalbleiter trägt und bei Bedarf elektrischen und thermischen Kontakt sowie elektrische Isolierung bietet. Leistungsmodule bieten eine höhere Leistungsdichte und sind in vielen Fällen zuverlässiger und leichter zu kühlen.