Name: SUG90090E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SUG90090E-GE3-ND
Price: 5.772 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 200 V 100 A (Tc) 395W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC

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SUG90090E-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SUG90090E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SUG90090E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers	42 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 100 A (Tc) 395W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 129 nC @ 10 V
Serie ThunderFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5220 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 395W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SUG90090
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,5mOhm bei 20A, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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