Name: SQSA80ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQSA80ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 2.028 EUR
Availability: InStock

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SQSA80ENW-T1_GE3
DigiKey-Teilenr.	SQSA80ENW-T1_GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SQSA80ENW-T1_GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SQSA80ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SQSA80ENW-T1_GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Standardlieferzeit des Herstellers	39 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 18 A (Tc) 62,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SQSA80ENW-T1_GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 21 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1358 pF @ 40 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 62,5W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 21mOhm bei 10A, 10V	Basis-Produktnummer SQSA80
Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA