Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 6.42 EUR
Availability: InStock

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SIJH112E-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIJH112E-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIJH112E-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 160 nC @ 10 V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 8050 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,3W (Ta), 333W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 8 x 8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 23A (Ta), 225A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,8mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer SIJH112
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA