Parametrisches Äquivalent
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SIHW70N60EF-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHW70N60EF-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHW70N60EF-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD |
Standardlieferzeit des Herstellers | 15 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 70 A (Tc) 520W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHW70N60EF-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 380 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7500 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 520W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AD |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 38mOhm bei 35A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 270 | 742-SIHG70N60EF-GE3-ND | € 12,88000 | Parametrisches Äquivalent |
| FCH041N60E | onsemi | 731 | FCH041N60E-ND | € 12,31000 | Ähnlich |
| FCH041N65EF-F155 | onsemi | 358 | FCH041N65EF-F155OS-ND | € 13,64000 | Ähnlich |
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | 1 502 | 448-IPW60R040C7XKSA1-ND | € 10,28000 | Ähnlich |
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | 587 | 448-IPW60R045CPAFKSA1-ND | € 15,30000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 480 | € 7,11881 | € 3.417,03 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 7,11881 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 8,54257 |













