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Direkter Ersatz


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Vorrätig: 2 332
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Datenblatt
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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SIHP30N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
742-SIHP30N60E-E3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP30N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP30N60E-E3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2600 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 15A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (13)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STP42N60M2-EPSTMicroelectronics57497-15893-5-ND€ 6,45000Direkter Ersatz
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