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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IPP65R125C7XKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IPP65R125C7XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP65R125C7XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 18 A (Tc) 101W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP65R125C7XKSA1 Modelle |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 440µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1670 pF @ 400 V |
Status der Komponente Nur verfügbar bis | Verlustleistung (max.) 101W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 125mOhm bei 8,9A, 10V |
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Verfügbar bis: 30.09.2026
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Alle Preise in EUR
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 4,11000 | € 4,11 |
| 50 | € 2,12620 | € 106,31 |
| 100 | € 1,93450 | € 193,45 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 4,11000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 4,93200 |
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