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SIHG22N60AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHG22N60AE-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHG22N60AE-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 96 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1451 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 179W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AC |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH22N60N | onsemi | 0 | FCH22N60N-ND | € 0,00000 | Ähnlich |
| IPW60R180C7XKSA1 | Infineon Technologies | 162 | 448-IPW60R180C7XKSA1-ND | € 3,93000 | Ähnlich |
| IPW60R180P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R180P7XKSA1-ND | € 3,29000 | Ähnlich |
| IXFH22N65X2 | IXYS | 5 042 | 238-IXFH22N65X2-ND | € 7,81000 | Ähnlich |
| IXFH24N60X | IXYS | 0 | IXFH24N60X-ND | € 3,93667 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 4,49000 | € 4,49 |
| 10 | € 2,97900 | € 29,79 |
| 100 | € 2,12080 | € 212,08 |
| 500 | € 1,75480 | € 877,40 |
| 1 000 | € 1,63732 | € 1.637,32 |
| 2 000 | € 1,53858 | € 3.077,16 |
| 5 000 | € 1,52982 | € 7.649,10 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 4,49000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 5,38800 |







