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N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG22N60AE-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHG22N60AE-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHG22N60AE-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
96 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1451 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
179W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 11A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 4,49000€ 4,49
10€ 2,97900€ 29,79
100€ 2,12080€ 212,08
500€ 1,75480€ 877,40
1 000€ 1,63732€ 1.637,32
2 000€ 1,53858€ 3.077,16
5 000€ 1,52982€ 7.649,10
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 4,49000
Stückpreis mit MwSt.:€ 5,38800