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Vishay Siliconix
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Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,65442
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 5 457
Stückpreis : € 2,07000
Datenblatt

Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,28974
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Vorrätig: 0
Stückpreis : € 0,00000
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Taiwan Semiconductor Corporation
Vorrätig: 4 411
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Datenblatt
N-Kanal 600 V 1,4 A (Tc) 36W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
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SIHFR1N60A-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHFR1N60A-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHFR1N60A-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 1.4A TO252AA
Standardlieferzeit des Herstellers
91 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 1,4 A (Tc) 36W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
229 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
36W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7Ohm bei 840mA, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IRFR1N60APBFVishay Siliconix2 716IRFR1N60APBF-ND€ 2,07000Parametrisches Äquivalent
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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10€ 0,87400€ 8,74
100€ 0,58170€ 58,17
500€ 0,45632€ 228,16
1 000€ 0,41601€ 416,01
3 000€ 0,36480€ 1.094,40
6 000€ 0,33903€ 2.034,18
12 000€ 0,31736€ 3.808,32
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 1,39000
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