FQD2N80TM onsemi | Einzelne FETs, MOSFETs

FQD2N80TM ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

STMicroelectronics

Vorrätig: 1 319

Stückpreis : € 15,87000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FQD2N80TM
DigiKey-Teilenr.	FQD2N80TMTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FQD2N80TM
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 1,8 A (Tc) 2,5W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Herst. onsemi	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 15 nC @ 10 V
Serie QFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 550 pF @ 25 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 50W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,8 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer FQD2N80
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,3Ohm bei 900mA, 10V