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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHD12N50E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHD12N50E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHD12N50E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 550 V 10,5 A (Tc) 114W (Tc) Oberflächenmontage DPAK |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 50 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 886 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 114W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TA) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 550 V | Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 380mOhm bei 6A, 10V |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 2,32000 | € 2,32 |
| 10 | € 1,49200 | € 14,92 |
| 100 | € 1,02140 | € 102,14 |
| 500 | € 0,81982 | € 409,91 |
| 1 000 | € 0,75500 | € 755,00 |
| 3 000 | € 0,67276 | € 2.018,28 |
| 6 000 | € 0,63139 | € 3.788,34 |
| 12 000 | € 0,62111 | € 7.453,32 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,32000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,78400 |
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