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SI7460DP-T1-E3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SI7460DP-T1-E3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SI7460DP-T1-E3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7460DP-T1-E3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7460DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SI7460DP-T1-E3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 60 V 11 A (Ta) 1,9W (Ta) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Obsolet | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 4,5V, 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 9,6mOhm bei 18A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 3V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 100 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 1,9W (Ta) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PowerPAK® SO-8 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Obsolet
