Name: SIR4604LDP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR4604LDP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.316 EUR
Availability: InStock

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SIR4604LDP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIR4604LDP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIR4604LDP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIR4604LDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR4604LDP-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 15,6A (Ta), 51A (Tc) 3,9W (Ta), 41,6W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIR4604LDP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 28 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1180 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,9W (Ta), 41,6W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 15,6A (Ta), 51A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIR4604
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,9mOhm bei 10A, 10V