SI4900DY-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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MOSFETs - Arrays 60V 5,3A 3,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI4900DY-T1-GE3

DigiKey-Teilenr.
SI4900DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
SI4900DY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
SI4900DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SI4900DY-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8SOIC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
MOSFETs - Arrays 60V 5,3A 3,1W Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
58mOhm bei 4,3A, 10V
Hersteller
Vishay Siliconix
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
20nC bei 10V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
665pF bei 15V
Status der Komponente
Obsolet
Leistung - Max.
3,1W
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Konfiguration
2 N-Kanal (zweifach)
Montagetyp
Oberflächenmontage
FET-Merkmal
Logikpegel-Gate
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
5,3A
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SI4900DY-T1-E3Vishay Siliconix195SI4900DY-T1-E3CT-ND€ 1,62000Parametrisches Äquivalent
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Obsolet
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