Name: SI4160DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4160DY-T1-GE3TR-ND
Price: 2.076 EUR
Availability: InStock

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SI4160DY-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI4160DY-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI4160DY-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI4160DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI4160DY-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 25,4 A (Tc) 2,5W (Ta), 5,7W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOIC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 54 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2071 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 5,7W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOIC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 25,4 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-SOIC (0,154", 3,90mm Breite)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SI4160
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,9mOhm bei 15A, 10V

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Ersatzartikel (10)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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