Name: RS1E150GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E150GNTBTR-ND
Price: 0.984 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 30 V 15 A (Ta), 40 A (Tc) 3W (Ta), 22W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSOP

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RS1E150GNTB
DigiKey-Teilenr.	RS1E150GNTBTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) RS1E150GNTBCT-ND - Gurtabschnitt (CT) RS1E150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Rohm Semiconductor
Hersteller-Teilenummer	RS1E150GNTB
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 15 A (Ta), 40 A (Tc) 3W (Ta), 22W (Tc) Oberflächenmontage 8-HSOP
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15 A (Ta), 40 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,8mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	590 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 22W (Tc)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	8-HSOP
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	RS1E

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Menge

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Gurtabschnitt (CT)

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 0,82000	€ 0,82
10	€ 0,51000	€ 5,10
100	€ 0,33230	€ 33,23
500	€ 0,25554	€ 127,77
1 000	€ 0,23079	€ 230,79

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
2 500	€ 0,20399	€ 509,98
5 000	€ 0,18742	€ 937,10
7 500	€ 0,17898	€ 1.342,35
12 500	€ 0,16950	€ 2.118,75
17 500	€ 0,16388	€ 2.867,90
25 000	€ 0,16086	€ 4.021,50