IRL620 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRL620
DigiKey-Teilenr.	IRL620-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	IRL620
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 5,2 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRL620 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4V, 5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	800mOhm bei 3,1A, 5V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	16 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	360 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRL620