Name: IRF520NPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF520NPBF-ND
Price: 1.836 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 9,7 A (Tc) 48W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF520NPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF520NPBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF520NPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 9,7 A (Tc) 48W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF520NPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 330 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,7 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRF520
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 200mOhm bei 5,7A, 10V

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Stange

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 1,53000	€ 1,53
50	€ 0,72080	€ 36,04
100	€ 0,64130	€ 64,13
500	€ 0,50200	€ 251,00
1 000	€ 0,45715	€ 457,15
2 000	€ 0,41942	€ 838,84
5 000	€ 0,37859	€ 1.892,95
10 000	€ 0,35337	€ 3.533,70

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