Name: TPM1R908QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM1R908QMLQTR-ND
Price: 3.132 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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TPM1R908QM,LQ
DigiKey-Teilenr.	264-TPM1R908QMLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TPM1R908QMLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TPM1R908QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TPM1R908QM,LQ
Beschreibung	N-CH MOSFET, 80 V, 0.0019 @10V,
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 26A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Oberflächenmontage 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,9mOhm bei 70A, 10V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 1,2mA
Serie U-MOSX-H	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 108 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10500 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 250W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 26A (Ta), 238A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-SOP Advance (4,9x5,75)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN