Name: SIRS5800DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS5800DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.56 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIRS5800DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIRS5800DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIRS5800DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIRS5800DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIRS5800DP-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 46A (Ta), 265A (Tc) 7,4W (Ta), 240W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIRS5800DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 122 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6190 pF @ 40 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 7,4W (Ta), 240W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 46A (Ta), 265A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIRS5800
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,8mOhm bei 20A, 10V