Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60XLQTR-ND
Price: 7.848 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

TK31V60X,LQ
DigiKey-Teilenr.	TK31V60XLQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) TK31V60XLQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) TK31V60XLQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK31V60X,LQ
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 30,8 A (Ta) 240W (Tc) Oberflächenmontage 4-DFN-EP (8x8)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK31V60X,LQ Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 1,5mA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 65 nC @ 10 V
Serie DTMOSIV-H	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3000 pF @ 300 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 240W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 4-DFN-EP (8x8)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30,8 A (Ta)	Gehäuse / Hülle 4-VSFN mit freiliegendem Pad
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer TK31V60
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 98mOhm bei 9,4A, 10V