Name: TK16N60W,S1VF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK16N60WS1VF-ND
Price: 6.552 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 600 V 15,8 A (Ta) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-247

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TK16N60W,S1VF
DigiKey-Teilenr.	TK16N60WS1VF-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TK16N60W,S1VF
Beschreibung	MOSFET N CH 600V 15.8A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 15,8 A (Ta) 130W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TK16N60W,S1VF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,7V bei 790µA
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 38 nC @ 10 V
Serie DTMOSIV	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1350 pF @ 300 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 130W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 15,8 A (Ta)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer TK16N60
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 190mOhm bei 7,9A, 10V

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Ersatzartikel (4)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 5,46000	€ 5,46
30	€ 3,10133	€ 93,04
120	€ 2,58050	€ 309,66
510	€ 2,19886	€ 1.121,42
1 020	€ 2,05960	€ 2.100,79
2 010	€ 1,99196	€ 4.003,84

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