N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 169W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
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STW26N60M2

DigiKey-Teilenr.
STW26N60M2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
STW26N60M2
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 169W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
STW26N60M2 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
34 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±25V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1360 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
169W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
165mOhm bei 10A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
R6022YNZ4C13Rohm Semiconductor587846-R6022YNZ4C13-ND€ 6,35000Ähnlich
SCT3120ALGC11Rohm Semiconductor282SCT3120ALGC11-ND€ 9,05000Ähnlich
SIHG24N65E-GE3Vishay Siliconix378742-SIHG24N65E-GE3-ND€ 6,16000Ähnlich
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 3,76000€ 3,76
10€ 2,47200€ 24,72
100€ 1,74130€ 174,13
600€ 1,40113€ 840,68
1 200€ 1,30540€ 1.566,48
2 400€ 1,22494€ 2.939,86
5 400€ 1,20335€ 6.498,09
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 3,76000
Stückpreis mit MwSt.:€ 4,51200