Name: TJ60S06M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ60S06M3LLXHQTR-ND
Price: 2.388 EUR
Availability: InStock

P-Kanal 60 V 60 A (Ta) 100W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+

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TJ60S06M3L,LXHQ
DigiKey-Teilenr.	264-TJ60S06M3LLXHQTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 264-TJ60S06M3LLXHQCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 264-TJ60S06M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	TJ60S06M3L,LXHQ
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 60 A (Ta) 100W (Tc) Oberflächenmontage DPAK+
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	TJ60S06M3L,LXHQ Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 156 nC @ 10 V
Herst. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max.) +10V, -20V
Serie U-MOSVI	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7760 pF @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur 175°C
FET-Typ P-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Ta)	Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK+
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11,2mOhm bei 30A, 10V	Basis-Produktnummer TJ60S06
Vgs(th) (max.) bei Id 3V bei 1mA