Name: GT30J65MRB,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT30J65MRBS1E-ND
Price: 3.96 EUR
Availability: OutOfStock

IGBT 650 V 60 A 200 W Durchkontaktierung TO-3P(N)

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GT30J65MRB,S1E
DigiKey-Teilenr.	264-GT30J65MRBS1E-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	GT30J65MRB,S1E
Beschreibung	IGBT 650V 60A TO-3P
Standardlieferzeit des Herstellers	12 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 650 V 60 A 200 W Durchkontaktierung TO-3P(N)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	GT30J65MRB,S1E Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	650 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	60 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	1,8V bei 15V, 30A
Leistung - Max.	200 W
Schaltenergie	1,4mJ (Ein), 220µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Gate-Ladung	70 nC
Td (on/off) bei 25°C	75ns/400ns
Testbedingung	400V, 15A, 56Ohm, 15V
Umkehrerholungszeit (trr)	200 ns
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P(N)
Basis-Produktnummer	GT30J65

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500	€ 1,24640	€ 623,20
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