Name: GT30J121(Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: GT30J121(Q)-ND
Price: 4.392 EUR
Availability: InStock

IGBT 600 V 30 A 170 W Durchkontaktierung TO-3P(N)

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

GT30J121(Q)
DigiKey-Teilenr.	GT30J121(Q)-ND
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller-Teilenummer	GT30J121(Q)
Beschreibung	IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Standardlieferzeit des Herstellers	18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	IGBT 600 V 30 A 170 W Durchkontaktierung TO-3P(N)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	GT30J121(Q) Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren IGBTs Einzelne IGBTs
Hersteller	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
IGBT-Typ	-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	600 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)	30 A
Strom - Kollektor, gepulst (Icm)	60 A
Vce(on) (Max.) bei Vge, Ic	2,45V bei 15V, 30A
Leistung - Max.	170 W
Schaltenergie	1mJ (Ein), 800µJ (Aus)
Eingangstyp	Standard
Td (on/off) bei 25°C	90ns/300ns
Testbedingung	300V, 30A, 24Ohm, 15V
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P(N)
Basis-Produktnummer	GT30J121

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10	€ 2,41200	€ 24,12
100	€ 1,70470	€ 170,47
500	€ 1,40272	€ 701,36
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