STH47N60DM6-2AG STMicroelectronics | Diskrete Halbleiterprodukte

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STMicroelectronics

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STH47N60DM6-2AG
DigiKey-Teilenr.	497-STH47N60DM6-2AGTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-STH47N60DM6-2AGCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-STH47N60DM6-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	STH47N60DM6-2AG
Beschreibung	POWER TRANSISTORS
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 36 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage H2PAK-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	STH47N60DM6-2AG Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	36 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	80mOhm bei 18A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,75V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2350 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	H2PAK-2
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	STH47