Name: SGT120R65AL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SGT120R65ALTR-ND
Price: 6.168 EUR
Availability: OutOfStock

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SGT120R65AL
DigiKey-Teilenr.	497-SGT120R65ALTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 497-SGT120R65ALCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 497-SGT120R65ALDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	STMicroelectronics
Hersteller-Teilenummer	SGT120R65AL
Beschreibung	650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 15 A (Tc) 192W (Tc) Oberflächenmontage PowerFlat™ (5x6) HV
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SGT120R65AL Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	STMicroelectronics
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	15 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	120mOhm bei 5A, 6V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,6V bei 12mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3 nC @ 6 V
Vgs (Max.)	+6V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	125 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	192W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerFlat™ (5x6) HV
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	SGT120

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 5,14000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 6,16800

SGT120R65AL